15日付日本経済新聞によると、中国のNAND型フラッシュメモリーメーカーであるYMTCが当初、昨年末に稼働を開始する予定だった第2工場では半導体製造装備の設置作業が中断された。一時はアップルへのNAND型メモリー供給を目指すほど技術力が認められたYMTCは、3年前に湖北省武漢市近くに第2工場の建設を開始した。約1000億元（約1兆9500億円）を投資した工場だが、現在は電力関連設備の設置作業だけが進められている。DRAMメーカーであるCXMTも今年稼働する計画だった第2工場の建設が遅れ、早くて2024－25年の完成となりそうだ。
両社に影響を及ぼしたのはバイデン政権だ。昨年10月に18ナノメートル以下のDRAM、128段以上のNAND型フラッシュメモリー、14ナノメートル以下のロジックIC（システム半導体）を生産する中国の半導体メーカーに対する半導体製造装備の輸出を規制したのだ。軍事転用を防ぐという名分だった。米国は世界首位のアプライド・マテリアルズなど世界の半導体製造装備で40％のシェアを握る。
バイデン政権の措置で、米国の半導体製造設備メーカーは中国から撤退した。毎日新聞によると、米国による昨年の発表直後、アプライド・マテリアルズ、ラムリサーチ、KLAなどで100人を超える米企業のエンジニアが一気に工場の建設現場を離れたという。米国による発表直前の9月には、YMTCのサイモン・ヤン最高経営責任者(CEO)が辞任した。ヤン前CEOは米国籍だった。
当初YMTCは第2工場の稼働で生産能力を3倍に拡大する計画だった。しかし、稼働延期でYMTCはリストラに入った。香港紙サウスチャイナ・モーニング・ポスト（SCMP）はYMTCが社員6000人の約10%を解雇したと報じた。
DRAMを生産するCXMTの状況も同じだ。安徽省合肥市の第2工場建設地にはオフィス棟が完成したが、生産棟と研究開発施設の建設はほとんど進んでいなかった。CXMTは年内完成を目標にしているが、現在の状況では不可能に近い。米国による規制発表当時は、CXMTが主に20ナノメートルの旧式工程を採用しているため、直接の打撃は避けられるとの見方もあったが、重要装備の供給を受けられない上に米国人エンジニアの支援もなくなり、旧式工程による生産拡大も容易ではないのだ。
CXMTは新規採用を中断し、5－7％の人員削減を進めている。2016年設立のCXMTはDRAM分野に2000億元を投資し、1万6000件の特許を保有している。
YMTCとCXMTは習近平国家主席がハイテク産業育成策である「中国製造2025」を発表した翌年に設立された半導体メーカーだ。当時「2025年までに半導体自給率70％達成」という目標を立てた中国は、NAND型フラッシュメモリーはYMTC、DRAMはCXMT、ファウンドリーは中芯国際集成電路製造(SMIC)、ファブレスは海思半導体（ハイシリコン）など中核企業を育成した。目標は達成できないが、中国の半導体自給率は15年の10％から21年には24％に上昇し、30年には50％に達すると予測される。しかし、市場調査会社ガートナーは、昨年第4四半期に約150億ドル（約2兆円）だった中国の半導体設備投資が、今年は四半期当たり100億ドルに急減すると予想した。それも旧式工程の設備や技術への投資に限られる見通しだ。
今後世界半導体製造装備でシェア2、3位の日本とオランダが米国の規制に加われば、中国は半導体産業で資金ではなく設備がないため、投資ができない状況に陥りかねない。香港紙SCMPは「中国半導体産業が失地を回復し、技術格差を縮めるのには少なくとも20年はかかるだろう」と伝えた。
https://news.yahoo.co.jp/articles/3789d065457f8e61f7867abd16ec0c432e33681b?page=1
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